• 

  V1系列IPM

  1、替代第3代DSA系列，V系列和HSA系列IPM
  2、采用全栅型CSTBTTM硅片具有低损耗
  600V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.55V ---> 1.75V
  1200V: Vce(sat)(@Tj=125?C)=2.6V ---> 1.85V
  3、优化片上温度传感器 ；新的结线技术显著改善功率循环
  4、兼容现有V系列小封装
  5、SXR端子提供稳压电源供外部光耦使用（可选）
  6、V1系列IPM使得变频器的功率损耗与传统产品相比，降低约20%
  

  

• 

  NEW PV-IPM PV-DIP/IPM

  1、三菱电机第5代智能功率模块——New PV-IPM
  2、太阳能发电系统专用智能功率模块
  3、采用全栅型CSTBTTM硅片技术和快速续流二极管更适合高频应用
  4、硅片上集成优化的温度传感器
  5、与L1系列S型IPM模块封装兼容，比现有产品(B型)小32%
  6、具有短路、欠压和过温保护功能
  

  

• 

  第六代NX系列

  1、采用第6代IGBT硅片技术，损耗低
  2、二极管采用第6代LPT硅片技术，正向导通压降低
  3、硅片结温可高达175°C
  4、硅片运行温度最高可达150°C
  5、内部集成NTC测温电阻
  6、全系列共享同一封装平台
  

  

• 

  第4代&第5代DIP、IPM

  1、应用范围：变频家电(伺服驱动、空调、洗衣机、冰箱等)
  2、内置驱动电路、欠压保护和短路保护电路
  3、高电平导通逻辑，可以直接与3V或5V单片机相连接
  

  

• 

  第五代智能功率模块（L1系列）

  1、采用全栅型 CSTBTTM硅片实现低损耗
  2、IGBT硅片正中央处集成温度传感器，过温保护更精确(145℃)
  3、新的结线技术使功率循环能力得到显著提高
  4、主端子有针脚型和螺丝型两种形式
  5、与第5代L系列IPM兼容
  6、完全无铅焊接(对应RoHS指令)

  

• 

  第五代NF系列

  1、采用低损耗CSTBTTM硅片技术
  2、LPT结构用于1200V模块，更加适合于并联使用
  3、额定电流定义比市场上同类产品高一个等级
  4、外形尺寸与H系列IGBT完全兼容
  5、内置导热性能优异的氮化铝(AlN)绝缘基层，热阻小
  6、通过调整底板和基板间焊锡的厚度大大改善了温度循环能力ΔTc
  7、高功率循环能力

  

• 

  第五代A系列

  1、采用CSTBTTM硅片技术
  2、饱和压降低、短路承受能力强、驱动功率小
  3、比同等级其他沟槽型IGBT电流输出能力高10%，在相同输出电流
  时ΔT(j-f)低15%
  4、模块内部寄生电感小
  5、功率循环能力显著改善

  
<< < 1 > >>